碳化硅微粉的化學除碳工藝有兩種方法：加熱氧化法、化學氧化法，具體內容如下。
　　1.1加熱氧化法
　　通過對碳化硅微粉進行高溫煅燒，使碳化硅微粉中的游離碳及石墨與空氣中的氧氣反應，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脫離碳化硅，從而實現了除碳的目的。
　　利用高溫煅燒除去碳化硅微粉中的碳雜質。該方法的較佳工藝條件為煅燒溫度為900℃，煅燒時間為3h，碳化硅內部的碳雜質得到了完全去除。
　　以空氣為氧化介質進行碳化硅微粉與碳雜質的分離。實驗結果表明:當氧化溫度在450～560℃之間，氧化時間在4h，雜質碳的去除率可以達到98.6%～99.2%。
　　通過實驗分析可知，在一定的溫度及時間范圍內，加熱氧化法對碳化硅微粉中的碳雜質去除率可達98%，但由于粒徑為微粉級的碳化硅表面積過大，如果加熱溫度過高，易造成碳化硅微粉的表面氧化，形成的氧化薄膜二氧化硅可能將碳微粉包裹，從而不利于碳雜質的去除。
　　1.2化學氧化法
　　利用用硝酸、硫酸和高氯酸中的一種或組成混合酸使用，或者在酸中添加作無機氧化劑的高錳酸鉀和重鉻酸鉀，使碳化硅微粉中的碳雜質以氣體的形式揮發出去，從而實現了對石墨和游離碳的去除。
　　利用化學氧化法雖然也能使碳化硅微粉中的游離碳氧化成氣體揮發掉，但氧化工藝所添加的強氧化性酸對人體及機器都會有強烈的腐蝕性，所以不利于大規模的工業化生產。